НовостиMitsubishi планирует выпуск кремниевых RF MOSFET модулей для профессиональных трансиверов
  ТОВАРЫ МЕСЯЦА
32790 руб
29930 руб

 

Mitsubishi планирует выпуск кремниевых RF MOSFET модулей для профессиональных трансиверов 16.06.2016

Компания Mitsubishi Electric анонсировала на 1 июля коммерческий запуск новых кремниевых радиочастотных (RF) металл-оксид-полупроводниковых транзисторов (MOSFET) с автоматическим монтажом на печатные платы для профессионального радиооборудования.

Являясь первыми моделями MOSFET в классе 6-ваттных устройств, новые модули должны повысить продуктивность разработки профессионального радиооборудования за счёт устранения множества шагов из процесса производства. В продаже появятся 2 типа модулей.

Как правило, высокомощные усилители для профессионального радиооборудования монтируются в коробках за счёт винтов. Новые модули MOSFET обходятся без помощи винтов, а также имеют существенно меньший размер и энергопотребление.

Mitsubishi планирует выпуск кремниевых RF MOSFET модулей для профессиональных трансиверовОсобенности продукции:

• Первый автоматически монтируемый модуль MOSFET: модули автоматически монтируются благодаря специальному дизайну, способному выдерживать температуру пайки;

• Оптимизированная по размеру, весу и энергопотреблению плата (по сравнению с текущей серией RA): энергопотребление было снижено за счёт уменьшения входной мощности на 80% (сейчас 10 мВт) и увеличения КПД на 5%;

• Два модуля различных типов могут работать в паре для профессионального радиооборудования.

 

 

Спецификация модулей:

 

Рабочая частота

Модель

Рабочее напряжение

Входная мощность

Выходная мощность

Эффективность

Поставка

135-175 МГц

RA05H1317MS1

12.5 В

10 мВт

85 Вт

60%

1 июля

RA60H1317MS1

378-470 МГц

RA05H3353MS1

53%

RA60H3847MS1

440-527 МГц

RA05H3353MS1

52%

RA60H4453MS1

 
 

Получайте новости с indpc на почту


Или подпишитесь на наши новости
х
Забыл пароль